三星首批3纳米GAA芯片出货
【三星首批3纳米GAA芯片出货】7月25日上午，在三星电子位于京畿道华城厂区，适用新一代全环绕栅极（Gate-All-Around）技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。
本文系网络转载，不代表本站立场。
本文系网络转载，不代表本站立场。
股票
股市行情
炒股入门
股票知识
期货
期货新闻
期货知识
期货行情
财经
财经要闻
观点评论
民生消费
基金
基金动态
基金行情
基金视点
