三星电子：第二代3纳米和2纳米GAA技术开发均已步入正轨
【三星电子：第二代3纳米和2纳米GAA技术开发均已步入正轨】 据科创板日报，三星电子表示，内存业务的业绩较上一季度有所改善，因为预计AI应用的强劲需求导致DRAM出货量高于指导值，因此该业务重点关注高带宽内存（HBM）和 DDR5产品。三星电子还称，得益于3纳米工艺的稳定，代工业务正在顺利量产采用GAA技术的第三款产品，第二代3纳米GAA技术和2纳米GAA技术的开发均已步入正轨并进展顺利。
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