佰维存储：公司掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺
【佰维存储：公司掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺】佰维存储近期接受投资者调研时称，公司掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NANDFlash芯片、DRAM芯片和SiP封装芯片的大规模量产提供支持，使得存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。
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