芯联集成：正在建设的国内第一条8英寸碳化硅（SiC）器件研发产线，将于2024年通线
【芯联集成：正在建设的国内第一条8英寸碳化硅（SiC）器件研发产线，将于2024年通线】 芯联集成近期接受投资者调研时称，碳化硅（SiC）MOSFET产品性能好，技术含量高，产品高度集中应用在汽车行业。公司已经突破应用于主驱的平面碳化硅（SiC）MOSFET的技术，并已实现公司最新一代的碳化硅（SiC）MOSFET产品性能达到世界领先水平。同时，公司正在建设的国内第一条8英寸碳化硅（SiC）器件研发产线，也将于2024年通线。
本文系网络转载，不代表本站立场。
